06月06日(Thu) 13:20〜15:40 H会場(-市民プラザ3F AVスタジオ)
| 演題番号 | 3H3-OS-05b-6 |
|---|---|
| 題目 | ニューロモルフィック強誘電体素子を用いたアナログ演算によるパターン認識 |
| 著者 | 上田 路人(パナソニック（株） 先端技術研究所 ナノテク領域研究グループ) 西谷 雄(パナソニック（株） 先端技術研究所 ナノテク領域研究グループ) 金子 幸広(パナソニック（株） 先端技術研究所 ナノテク領域研究グループ) 辻村 歩(パナソニック（株） 先端技術研究所 ナノテク領域研究グループ) |
| 時間 | 06月06日(Thu) 15:00〜15:20 |
| 概要 | 強誘電体をゲート酸化膜に配したトランジスタである強誘電体メモリスタ（FeMEM)は、印加した電圧パルスの大きさでその抵抗値をアナログ的に変化し保持できる。FeMEMをシナプスとし、アナログ積分器をニューロンとすることで、Hopfield Networkをアナログ回路で構築した。結果、２つのパターンを記憶させた後、ランダムなパターン入力に対し距離が近い方の記憶パターンを想起させることに成功した。 |
| 論文 | PDFファイル |